Donanım
Samsung'un Gelecek Yarı İletken Haritası: 2 Nanometreden Öte Ne Bekleniyor?
Samsung, SF2 ve 1.4 nanometre hedefleriyle yarı iletken üretimindeki devrimini planlıyor.
Hexcore
3 dk
3 Temmuz 2026
Yarı iletken üretiminin geleceği hakkındaki planları, Samsung Sanayi Forumu (SF) etkinliklerinde paylaşıldı. Dünyanın en büyük ve yenilikçi bileşenlerinden biri olan çip üreticisi Samsung, sadece birkaç yıl sonra piyasaya sürülecek yeni nanometre düğümleriyle teknoloji dünyasında devrim yapmaya hazırlanıyor.
Bu konferans sırasında şirket, şirketin Exynos 2600'de kullandığı SF2 (Samsung Foundary 2 nm) gibi isimlerle adlandırılan ileri işlemci ürettiğini bildirdi. Bu çipler, cep telefonu pazarında çok rekabetçi bir pozisyon almasını sağlıyor.
Galaxy cihazlarının gücünü belirleyen yeni üretim süreçleri de yakından takip ediliyor. SF2P isimli bir sonraki düğümde, enerji tüketiminin yüzde 26 oranında düşürülmesi hedefleniyor. Bu önemli iyileşmelere ek olarak, saat hızlarında yüzde 15 gibi kayda değer artışlar da sağlanacak.
Samsung Foundry Design Platform Development Ekibi Başkan Yardımcısı Shin Jong-shin, bu büyük ilerlemelerin yarısından fazlasının DTCO (Tasarım ve Teknoloji Birlikte Optimizasyonu) yöntemi sayesinde elde edildiğini belirtti. Bu yöntem geleneksel olarak ayrı adımlar olan çip üretimi metodolojisi ile çip tasarımı süreçlerini eş zamanlı ele alarak, tasarımların çok daha verimli hale gelmesini sağlıyor. Sonuç olarak bu ortak çalışma;更高的 hızlar, daha düşük güç tüketimi ve hatta üretim maliyetlerinde önemli düşüşler gibi avantajları getiriyor.
SF2P+'nın Ocak 2027 ile 2028 yılları arasında seri üretime geçmesi bekleniyor. Ayrıca yapay zeka donanımı için özel olarak optimize edilmiş SF2X isimli bir düğüm üzerinde çalışmalar devam ediyor.
Yarı iletken üretimindeki mevcut en büyük gelişmelerden biri, çip üzerine daha fazla SRAM entegre etme yöntemleri. SRAM (Statik Rastgele Erişimli Hafıza), işlemci veya grafik kartlarının register'ları ve önbelleklerini oluşturmak için kullanılır; bu yapı inanılmaz derecede hızlı olsa da DRAM gibi hafızalara kıyasla daha fazla yer kaplar.
Örneğin, temel bir veri birimini saklayan (yani 0 ya da 1 değerini tutan) standart bir SRAM hücresi altı adet transistöre ihtiyaç duyarken, aynı işlevi yerine getiren bir DRAM hücresine yalnızca tek bir transistör gereklidir. Samsung ve Groq gibi devler bile bu verimlilik konusunda zorluklar yaşıyor.
Hali hazırda Nvidia'nın TSMC tarafından üretilen N3 düğümündeki Rubin grafik işlemcisinde 128 megabayttan fazla üzerinde SRAM bulunurken, Samsung destekli Rebellions şirketi de şu anda eski 4 nanometre (nm) üretim seviyesindeki çipleriyle yüz binlerce baytın üzerindeki SRAM kapasitesine sahip LLM hızlandırıcıları sergiledi.
Yarı iletken endüstrisinde yeni bir dönem, Samsung'un gelecekteki hedeflerinde yer alıyor. Mevcut nanometre üretim döngülerinin ardından, şirket 2029 yılında seri üretime başlayacak SF1.4 isimli düğümle 1.4 nanometre (nm) seviyesine geçiş yapacağını duyurdu. Bu iddialı sıçramadan sonra ise takip edecek olan SF1.4+ ile bu hıza devam edilecek.
Bu plan, daha önceki tarihlerde öngörülmüşken bazı gecikmeler yaşasa da yol haritasındaki yenilikler, çip teknolojisinin hızını sürekli artırma kararlılığını bir kez daha kanıtlıyor.
Topluluk yargısını şekillendirmek için fikrini tek bir sinyalle belirt.
Henüz yorum yapılmamış. İlk yorumu sen yap!
E-posta adresiniz yayımlanmayacaktır. Gerekli alanlar (*) ile işaretlenmiştir.