Kioxia ile Sandisk ortaklığı, depolama dünyasında devrim yaratacak yeni bir hamle gerçekleştirdi. Bu girişimle ortaya çıkan 10. nesil BiCS 3D TLC NAND hafıza çözümü, çip endüstrisinin en yüksek yoğunluk ve performans hedeflerini belirleyerek doğrudan veri merkezlerinin ihtiyacına odaklanıyor.
Bu yenilikçi teknoloji ile üretilen yeni NAND bellek yapısı, sektördeki lider areal density (alan başına yoğunluk) standartlarını aşarken aynı zamanda üstün işleme performansı da sunuyor. Sektördeki en önemli rakip Samsung'un mevcut V10 sınıfı 3D NAND çözümlerini depolama kapasitesi ve genel verimlilik açısından geride bırakması bekleniyor.
Yeni BiCS 10 nesli, bit yoğunluğu ve performansın maliyetten daha kritik olduğu veri merkezi düzeyindeki depolama sistemleri için özel olarak tasarlandı. Bu yeni nesil bellek mimarisi, üç yüz otuz iki aktif katmanlık bir yapıya sahip olmasıyla öne çıkıyor. Ayrıca 29 Gb/mm²'den fazla yoğunluk ve 4.800 MT/s gibi yüksek bir veri transfer hızı sunarak PCIe 5.0 ve PCIe 6.0 arayüzlerine sahip veri merkezi depolama sürücüleri için aşırı performansı mümkün kılıyor.
Bu mimari, önceki nesillerden farklı olarak doğrudan tüketici cihazlarına yönelik olmasa da (Kioxia, BiCS10'u yalnızca kurumsal sınıfa konumlandırıyor), sunucular ve bulut bilişim gibi büyük ölçekli veri merkezlerinde depolama standartlarını yeniden belirleme potansına sahip. Kioxia ve Sandisk ayrıca bu serinin alt modeli olan BiCS9 NAND çözümünü ise özel olarak istemci odaklı uygulamalar için sunmayı planlıyor.
Yeni 3D NAND, sadece bit yoğunluğunu %59 oranında artırmakla kalmıyor, aynı zamanda kurumsal kullanıcılar için somut performans ve verimlilik kazanımları vaat ediyor. Kioxia'nın iddialarına göre okuma gecikmesi (read latency) yaklaşık dört mikrosaniye düşerek yaklaşık yüzde 10 iyileşme sağlarken, okuma enerji tüketimi ciddi bir oran olan yüzde 25 azalıyor.
Bu verimlilik artışı, özellikle BiCS10 gibi üç yüz otuz iki katmanlı ultra derin NAND yığınlarında ortaya çıkan uzun kelime hatlarının (word lines) ısınma ve yeniden şarj edilme süreçlerindeki zorluklardan kaynaklanıyor. Normalde, bir okuma işleminden sonra NAND hücreleri tamamen sıfırlanır; ancak BiCS10'da sürekli okuma durumunda devreler, hattı tamamen boşaltmak yerine orta seviyede bir gerilim arasına düşürüyor ve bu ara volttan yeniden gerekli çalışma voltajına çekiliyor. Bu strateji, tekrar şarj edilme süresini kısaltarak hem gecikmeyi azaltıyor hem de enerji tüketimini minimize ediyor.
Kioxia ve Sandisk'in bu yeni teknolojileri farklı üretim tesislerinde üretmesi, tedarik zinciri stratejisinin ne kadar mantıklı bir şekilde planlandığını gösteriyor. En gelişmiş teknolojiye sahip olan Kitakami bölgesindeki Fab 2 tesisi, amiral gemisi 332 katmanlı BiCS10 belleklerinin üretimine ayrıldı. Bu yeni ve yüksek kapasiteli tesis, en hassas üretim süreçlerini üstleniyor.
Öte yandan, daha köklü Yokkaichi karma lokasyonu ise iki yüz on sekiz katmanlık BiCS9 neslinin üretimine devam edecek. Tesislerin olgunlaşmış yapısı sayesinde şirket, standart NAND ürünlerini bu bölgelerde daha düşük maliyetle üretebilirken, en yeni ve yüksek yoğunluklu çözümler için kapasitesini Kitakami'de koruyor.
Bu ayrım, şirketin hem yüksek teknoloji depolama pazarındaki liderliğini sürdürmesini hem de ana bellek üretiminde ekonomik verimlilik sağlamasını amaçlayan kapsamlı bir ticari zekânın ürünü.
Topluluk yargısını şekillendirmek için fikrini tek bir sinyalle belirt.
Henüz yorum yapılmamış. İlk yorumu sen yap!
E-posta adresiniz yayımlanmayacaktır. Gerekli alanlar (*) ile işaretlenmiştir.
